-
1 implanted ion
-
2 implanted ion
Техника: имплантированный ион -
3 implanted ion
-
4 implanted ion
-
5 implanted ion
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > implanted ion
-
6 implanted ion
-
7 implanted ion dose
фпп доза имплантации, доза имплантированных ионов -
8 ion
-
acceptor ion
-
acid ion
-
active ion
-
aggressive ions
-
ampholytic ion
-
amphoteric ion
-
aqua ion
-
aromatic ion
-
basic ion
-
biatomic ion
-
capillary-active ion
-
carrier ion
-
channelled ion
-
colloidal ions
-
colloidal ion
-
compensating ion
-
competing ion
-
complex ion
-
diatomic ion
-
divalent ion
-
donor ion
-
double-charged ion
-
electrolyte ion
-
eluting ion
-
exchangeable ion
-
extraneous ion
-
fast ion
-
fixed ion
-
following ions
-
free ion
-
glass-forming ion
-
heavy ion
-
hybrid ion
-
hydrogen ion
-
hydronium ion
-
hydroxyl ion
-
implanted ion
-
impure ion
-
indicator ion
-
interstitial ion
-
light ion
-
likely charged ions
-
like ions
-
mobile ion
-
molecular ion
-
monoatomic ion
-
monovalent ion
-
multicharged ion
-
negative ion
-
network-forming ion
-
network-modifying ion
-
one-atomic ion
-
pit-blocking ions
-
platable ions
-
polyatomic ion
-
polybasic ion
-
polyvalent ion
-
positive ion
-
predissociated ion
-
primary ion
-
reactive ion
-
same ion
-
secondary ion
- structure breaking ions -
structure forming ions
-
tracer ion
-
trapped ion
-
vagabonding ion -
9 ion
- encapsulated ion
- energetic ion
- excess ion
- fast ion
- fullerene-encapsulated ion
- heavy ion
- high-energy ion
- highly-stripped ion
- implanted ion
- incident ion
- Jahn-Teller ion
- Langevin ion
- large ion
- laser ion
- light ion
- maser ion
- missing ion
- negative ion
- plasma ion
- positive ion
- reactive ion
- slow ion
- small ion
- trapped ion -
10 ion
- encapsulated ion
- energetic ion
- excess ion
- fast ion
- fullerene-encapsulated ion
- heavy ion
- high-energy ion
- highly-stripped ion
- implanted ion
- incident ion
- Jahn-Teller ion
- Langevin ion
- large ion
- laser ion
- light ion
- maser ion
- missing ion
- negative ion
- plasma ion
- positive ion
- reactive ion
- slow ion
- small ion
- trapped ionThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > ion
-
11 ion-implanted bubble propagation circuit
= ion-implanted bubble-domain propagation circuit ионно-имплантированная схема продвижения ЦМДThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > ion-implanted bubble propagation circuit
-
12 ion-implanted bubble-domain propagation circuit
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > ion-implanted bubble-domain propagation circuit
-
13 ion-bombardment junction
= ion-implanted junction ионно-имплантированный переходEnglish-Russian electronics dictionary > ion-bombardment junction
-
14 ion-implanted junction
English-Russian electronics dictionary > ion-implanted junction
-
15 ion-bombardment junction
= ion-implanted junction ионно-имплантированный переходThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > ion-bombardment junction
-
16 ion-implanted junction
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > ion-implanted junction
-
17 ion-clearing process
English-Russian big polytechnic dictionary > ion-clearing process
-
18 ion-bombardment [ion-implanted] junction
Англо-русский словарь технических терминов > ion-bombardment [ion-implanted] junction
-
19 ion-implanted emitter
ионно-легированный (ионно-имплантированный) эмиттер; ионно-легированный ( ионно-имплантированный) эмиттерный слойАнгло-русский словарь технических терминов > ion-implanted emitter
-
20 ion-implanted layer
Англо-русский словарь технических терминов > ion-implanted layer
См. также в других словарях:
implanted ion — implantuotasis jonas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. implanted ion vok. implantiertes Ion, n rus. имплантированный ион, m pranc. ion implanté, m … Fizikos terminų žodynas
ion implanté — implantuotasis jonas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. implanted ion vok. implantiertes Ion, n rus. имплантированный ион, m pranc. ion implanté, m … Fizikos terminų žodynas
Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… … Wikipedia
Ion Beam Mixing — is a process for adhering two multilayers, especially a substrate and deposited surface layer. The process involves bombarding layered samples with doses of ion radiation in order to promote mixing at the interface, and generally serves as a… … Wikipedia
ion-implanted MOS — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted MOS structure — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted impurity — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
implanted dopant — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
implanted impurity — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion implanted MOS device — jonais implantuotas MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS device vok. Ionenimplantations MOS Gerät, n rus. ионно имплантированный МОП прибор, m pranc. dispositif MOS à implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted layer — jonais implantuotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted layer vok. Ionenimplantationsschicht, f rus. ионно имплантированный слой, m pranc. couche implantée par ions, f … Radioelektronikos terminų žodynas
